Производством MRAM-памяти займется Hynix и Toshiba

Компании Toshiba и Hynix займутся разработкой перспективной технологией производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов. И позволяет совмещать достоинства динамической и флеш-памяти. При этом небольшим временем доступа к файлам минимально.Еще одно достоинство этой памяти так это ее энергонезависимость, то есть данные могут храниться без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.

Для того что бы избавиться от недостатков начальной технологии, компании сосредоточат усилия на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники. Сроки начала массового производства MRAM-чипов компании Hynix и Toshiba не оговаривают.
Источник My Equipment


 Источник:My Equipment сайт о гаджетах